IPD25N06S4L-30
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fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria de produtos:
MOSFET
Identificação - corrente contínua do dreno:
25 A
Pd - Dissipação de energia:
29 W
Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte:
60 V
embalagem:
Tape & Reel (TR)
Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte:
1.2 V
Pacote:
TO-252
RDS - na resistência da Dreno-fonte:
23 mOhms
ROHS:
Verde disponível
Quantidade em embalagem de fábrica:
2500
Vgs - tensão da Porta-fonte:
- 16 V, + 16 V
Qg - carga da porta:
16.3 nC
Fabricante:
Tecnologias Infineon
Introdução
O IPD25N06S4L-30, da Infineon Technologies, é um MOSFET. O que oferecemos tem um preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
IPD15N06S2L-64
MOSFET N-Ch 55V 19A DPAK-2 OptiMOS
IPD50N08S4-13
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
IPD90N10S4L-06
MOSFET MOSFET
IPD35N10S3L-26
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
FZ600R12KE4HOSA1
MOD IGBT MED PWR 62MM-2
S26HS01GTGABHB030
IC FLASH 1GBIT HYPERBUS 24FBGA
FM24V02A-GTR
IC FRAM 256KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
FM24C16B-GTR
IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
S25FL127SABMFV101
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
TLE8366E V50
Switching Voltage Regulators 1.8A DC/DC Step-Down Voltage Regulator
| Imagem | parte # | Descrição | |
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IPD15N06S2L-64 |
MOSFET N-Ch 55V 19A DPAK-2 OptiMOS
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IPD50N08S4-13 |
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
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IPD90N10S4L-06 |
MOSFET MOSFET
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IPD35N10S3L-26 |
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
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FZ600R12KE4HOSA1 |
MOD IGBT MED PWR 62MM-2
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S26HS01GTGABHB030 |
IC FLASH 1GBIT HYPERBUS 24FBGA
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FM24V02A-GTR |
IC FRAM 256KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
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FM24C16B-GTR |
IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
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S25FL127SABMFV101 |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
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TLE8366E V50 |
Switching Voltage Regulators 1.8A DC/DC Step-Down Voltage Regulator
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Resíduos:
Quantidade mínima:
