FM24V02A-GTR
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fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
IC FRAM 256KBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Circuitos integrados (CI)
Memória
Memória
Tamanho da Memória:
256 Kbit
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
Série:
F-RAM™
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
I2C
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
8-SOIC
Tipo de memória:
Não voláteis
Mfr:
Tecnologias Infineon
Frequência do relógio:
3.4 MHz
Voltagem - Fornecimento:
2 V ~ 3,6 V
Tempo de acesso:
130 ns
Embalagem / Caixa:
8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)
Organização da memória:
32K x 8
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
FRAM (RAM Ferroelectric)
Número do produto de base:
FM24V02
Formato de memória:
FRAM
Introdução
FRAM (Ferroelectric RAM) Memória IC 256Kbit I2C 3.4 MHz 130 ns 8-SOIC
PRODUTOS CONEXOS
IPD25N06S4L-30
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD15N06S2L-64
MOSFET N-Ch 55V 19A DPAK-2 OptiMOS
IPD50N08S4-13
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
IPD90N10S4L-06
MOSFET MOSFET
IPD35N10S3L-26
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
FZ600R12KE4HOSA1
MOD IGBT MED PWR 62MM-2
S26HS01GTGABHB030
IC FLASH 1GBIT HYPERBUS 24FBGA
FM24C16B-GTR
IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
S25FL127SABMFV101
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
TLE8366E V50
Switching Voltage Regulators 1.8A DC/DC Step-Down Voltage Regulator
| Imagem | parte # | Descrição | |
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IPD25N06S4L-30 |
MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
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IPD15N06S2L-64 |
MOSFET N-Ch 55V 19A DPAK-2 OptiMOS
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IPD50N08S4-13 |
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
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IPD90N10S4L-06 |
MOSFET MOSFET
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IPD35N10S3L-26 |
MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
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FZ600R12KE4HOSA1 |
MOD IGBT MED PWR 62MM-2
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S26HS01GTGABHB030 |
IC FLASH 1GBIT HYPERBUS 24FBGA
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FM24C16B-GTR |
IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
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S25FL127SABMFV101 |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC
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TLE8366E V50 |
Switching Voltage Regulators 1.8A DC/DC Step-Down Voltage Regulator
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Resíduos:
Quantidade mínima:
