MT5A2A2A2A2A2A2A2A2A2B
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fabricante:
Micron Tecnologia Inc.
Descrição:
IC DRAM 4GBIT 2.133GHz 200WFBGA
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Circuitos integrados (CI)
Memória
Memória
Tamanho da Memória:
4Gbit
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Caixa
Série:
Automóveis, AEC-Q100
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
-
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
200-WFBGA (10x14.5)
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Micron Tecnologia Inc.
Frequência do relógio:
2,133 gigahertz
Voltagem - Fornecimento:
1.1V
Embalagem / Caixa:
200-WFBGA
Organização da memória:
128M x 32
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 105°C (TC)
Tecnologia:
SDRAM - LPDDR4 móvel
Número do produto de base:
MT3A2
Formato de memória:
DRAM
Introdução
SDRAM - IC de memória LPDDR4 móvel 4Gbit 2,133 GHz 200-WFBGA (10x14.5)
PRODUTOS CONEXOS
MT40A4G8NEA-062E: F
IC DRAM 32GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M16TW-107 A TI: P
IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT40A512M16LY-062E A TI: E
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT4A2A2A2A2A2A2A2A2B
IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
MT28EW512ABA1HJS-0SIT
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
MT4F4G01ABBFDWB-IT:F
IC FLASH 4GBIT SPI 83MHZ 8UPDFN
MT25QL128ABA1EW9-0SIT
IC FLASH 128MBIT SPI 8WPDFN
MT25QL01GBBB8ESF-0SIT
IC FLASH 1GBIT SPI 133MHZ 16SO
MT2A2A2A2A2A2B
IC FLASH 128MBIT SPI 24TPBGA
MT41K64M16TW-107: J
IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
| Imagem | parte # | Descrição | |
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MT40A4G8NEA-062E: F |
IC DRAM 32GBIT PARALLEL 78FBGA
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MT41K256M16TW-107 A TI: P |
IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
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MT40A512M16LY-062E A TI: E |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
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MT4A2A2A2A2A2A2A2A2B |
IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
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MT28EW512ABA1HJS-0SIT |
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
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MT4F4G01ABBFDWB-IT:F |
IC FLASH 4GBIT SPI 83MHZ 8UPDFN
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MT25QL128ABA1EW9-0SIT |
IC FLASH 128MBIT SPI 8WPDFN
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MT25QL01GBBB8ESF-0SIT |
IC FLASH 1GBIT SPI 133MHZ 16SO
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MT2A2A2A2A2A2B |
IC FLASH 128MBIT SPI 24TPBGA
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MT41K64M16TW-107: J |
IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
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Resíduos:
Quantidade mínima:
