MT28EW512ABA1HJS-0SIT
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fabricante:
Micron Tecnologia Inc.
Descrição:
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Circuitos integrados (CI)
Memória
Memória
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Caixa
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
60 ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
56-TSOP
Tipo de memória:
Não voláteis
Mfr:
Micron Tecnologia Inc.
Tamanho da Memória:
512 Mbit
Voltagem - Fornecimento:
2.7V ~ 3.6V
Tempo de acesso:
95 ns
Embalagem / Caixa:
56-TFSOP (0,724", largura de 18.40mm)
Organização da memória:
64M x 8, 32M x 16
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
FLASH - NÃO
Número do produto de base:
MT5
Formato de memória:
Flash
Introdução
FLASH - NOR Memória IC 512Mbit paralelo 95 ns 56-TSOP
PRODUTOS CONEXOS
MT40A4G8NEA-062E: F
IC DRAM 32GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M16TW-107 A TI: P
IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT40A512M16LY-062E A TI: E
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT4A2A2A2A2A2A2A2A2B
IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
MT4F4G01ABBFDWB-IT:F
IC FLASH 4GBIT SPI 83MHZ 8UPDFN
MT25QL128ABA1EW9-0SIT
IC FLASH 128MBIT SPI 8WPDFN
MT25QL01GBBB8ESF-0SIT
IC FLASH 1GBIT SPI 133MHZ 16SO
MT2A2A2A2A2A2B
IC FLASH 128MBIT SPI 24TPBGA
MT41K64M16TW-107: J
IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT25QL128ABA1ESE-0SIT
IC FLASH 128MBIT SPI 133MHZ 8SO
| Imagem | parte # | Descrição | |
|---|---|---|---|
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MT40A4G8NEA-062E: F |
IC DRAM 32GBIT PARALLEL 78FBGA
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MT41K256M16TW-107 A TI: P |
IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
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MT40A512M16LY-062E A TI: E |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
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MT4A2A2A2A2A2A2A2A2B |
IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
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MT4F4G01ABBFDWB-IT:F |
IC FLASH 4GBIT SPI 83MHZ 8UPDFN
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MT25QL128ABA1EW9-0SIT |
IC FLASH 128MBIT SPI 8WPDFN
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MT25QL01GBBB8ESF-0SIT |
IC FLASH 1GBIT SPI 133MHZ 16SO
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MT2A2A2A2A2A2B |
IC FLASH 128MBIT SPI 24TPBGA
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MT41K64M16TW-107: J |
IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
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MT25QL128ABA1ESE-0SIT |
IC FLASH 128MBIT SPI 133MHZ 8SO
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Envie o RFQ
Resíduos:
Quantidade mínima:
