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STGWA25H120DF2

fabricante:
STMicroelectrónica
Descrição:
Transistores IGBT IGBT e Bipolar de Potência
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
corrente do escapamento do Porta-emissor:
250 nA
Categoria de produtos:
Transistores IGBT
Estilo de montagem:
Através do Buraco
Corrente de coletor contínua em 25 C:
50 A
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
1200 V
Pd - Dissipação de energia:
375 W
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 175 C
Tensão máxima do emissor da porta:
20 V
Configuração:
Solteiro
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
2,5 V
Fabricante:
STMicroelectrónica
Destacar:

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Introdução
O STGWA25H120DF2, da STMicroelectronics, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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