logo
Casa > produtos > Semicondutor IC > STGWA60H65DFB

STGWA60H65DFB

fabricante:
STMicroelectrónica
Descrição:
Transistores IGBT IGBT e Bipolar de Potência
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
corrente do escapamento do Porta-emissor:
250 nA
Categoria de produtos:
Transistores IGBT
Estilo de montagem:
Através do Buraco
Corrente de coletor contínua em 25 C:
80A
Pd - Dissipação de energia:
375 W
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
650 V
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 175 C
Tensão máxima do emissor da porta:
+/- 20 V
Configuração:
Solteiro
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
2 V
Fabricante:
STMicroelectrónica
Destacar:

Circuito integrado semicondutor STGWA60H65DFB

,

Módulo de potência STGWA60H65DFB

,

Transistor IGBT STGWA60H65DFB

Introdução
O STGWA60H65DFB, da STMicroelectronics, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
Envie o RFQ
Resíduos:
Quantidade mínima: