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STGW39NC60VD

fabricante:
STMicroelectrónica
Descrição:
Transistores IGBT N-CANAL MFT
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
corrente do escapamento do Porta-emissor:
+/- 100 nA
Categoria de produtos:
Transistores IGBT
Estilo de montagem:
Através do Buraco
Pd - Dissipação de energia:
250 W
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
600 V
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 150 C
Tensão máxima do emissor da porta:
+/- 20 V
embalagem:
Tubos
Configuração:
Solteiro
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
1.8 V/1.7 V
Fabricante:
STMicroelectrónica
Destacar:

IC semicondutor de potência STGW39NC60VD

,

IC de alta tensão STGW39NC60VD

,

IC industrial STGW39NC60VD

Introdução
O STGW39NC60VD, da STMicroelectronics, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se desejar saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor contacte-nos através do chat online ou envie-nos um orçamento!
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