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STGF19NC60KD

fabricante:
STMicroelectrónica
Descrição:
Transistores IGBT 2A 6V CORTO-CIRCUITO IGBT resistente
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
corrente do escapamento do Porta-emissor:
nA 100
Categoria de produtos:
Transistores IGBT
Estilo de montagem:
Através do Buraco
Corrente de coletor contínua em 25 C:
35 A
Pd - Dissipação de energia:
32 W
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
600 V
Embalagem / Caixa:
TO-220FP-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 150 C
Tensão máxima do emissor da porta:
20 V
embalagem:
Tubos
Configuração:
Solteiro
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
2 V
Fabricante:
STMicroelectrónica
Destacar:

Semicondutor IGBT STGF19NC60KD

,

CI de potência STGF19NC60KD

,

STGF19NC60KD com garantia

Introdução
O STGF19NC60KD, da STMicroelectronics, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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