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STGB30H60DFB

fabricante:
STMicroelectrónica
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
corrente do escapamento do Porta-emissor:
+ / - 250 nA
Categoria de produtos:
Transistores IGBT
Estilo de montagem:
SMD/SMT
Corrente de coletor contínua em 25 C:
60 A
Pd - Dissipação de energia:
260 W
Tensão VCEO do emissor do coletor máxima:
600 V
Embalagem / Caixa:
D2PAK-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 175 C
Tensão máxima do emissor da porta:
+/- 20 V
embalagem:
Reel
Configuração:
Solteiro
Tensão de saturação do Coletor-emissor:
1,55 V
Fabricante:
STMicroelectrónica
Destacar:

STGB30H60DFB IGBT semiconductor

,

STGB30H60DFB power IC

,

STGB30H60DFB high voltage IC

Introdução
O STGB30H60DFB, da STMicroelectronics, são transistores IGBT. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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