RS1J
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fabricante:
Taiwan Semicondutor Corporaçõ
Descrição:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.3 V @ 1 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
10pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-214AC (SMA)
Tempo de recuperação inverso (trr):
250 ns
Mfr:
Taiwan Semicondutor Corporaçõ
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
DO-214AC, SMA
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
RS1J
Introdução
Diodo 600 V 1A Montador de superfície DO-214AC (SMA)
PRODUTOS CONEXOS
ES1J
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
S3BB
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
ES1JFL
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
1N4744A
DIODE ZENER 15V 1W DO204AL
1N4746A
DIODE ZENER 18V 1W DO204AL
| Imagem | parte # | Descrição | |
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ES1J |
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
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S3BB |
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
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ES1JFL |
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
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1N4744A |
DIODE ZENER 15V 1W DO204AL
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1N4746A |
DIODE ZENER 18V 1W DO204AL
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Envie o RFQ
Resíduos:
Quantidade mínima:
