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RS1J

fabricante:
Taiwan Semicondutor Corporaçõ
Descrição:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.3 V @ 1 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
10pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
DO-214AC (SMA)
Tempo de recuperação inverso (trr):
250 ns
Mfr:
Taiwan Semicondutor Corporaçõ
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
DO-214AC, SMA
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
RS1J
Destacar:

Circuito integrado semicondutor RS1J

,

Circuito integrado díodo RS1J

,

Componente eletrónico RS1J

Introdução
Diodo 600 V 1A Montador de superfície DO-214AC (SMA)
PRODUTOS CONEXOS
Imagem parte # Descrição
qualidade ES1J fábrica

ES1J

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
qualidade S3BB fábrica

S3BB

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AA
qualidade ES1JFL fábrica

ES1JFL

DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
qualidade 1N4744A fábrica

1N4744A

DIODE ZENER 15V 1W DO204AL
qualidade 1N4746A fábrica

1N4746A

DIODE ZENER 18V 1W DO204AL
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Resíduos:
Quantidade mínima: