Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Zener
Diodos Zener únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
10 μA @ 5,2 V
Voltagem - Zener (Nome) (Vz):
6.8 V
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.2 V @ 1 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Série:
-
Impedância (Max) (Zzt):
1 ohm
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Axial
Mfr:
ONSEMI
Temperatura de funcionamento:
-65°C ~ 200°C
Potência - Máximo:
5 W
Embalagem / Caixa:
T-18, Axial
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Tolerância:
± 5%
Número do produto de base:
1N5342
Introdução
Diodo Zener 6,8 V 5 W ± 5% através do eixo do buraco
PRODUTOS CONEXOS
MOSFET de dupla inversão de alta velocidade semicondutor IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
NCV0372BDWR2G
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
| Imagem | parte # | Descrição | |
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MOSFET de dupla inversão de alta velocidade semicondutor IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
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MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
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LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
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NCV0372BDWR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
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NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
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CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
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FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
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FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
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FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
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FDC6401N |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
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Envie o RFQ
Resíduos:
Quantidade mínima:

