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STF33N60M2

fabricante:
STMicroelectrónica
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem / Caixa:
Bloco TO-220-3 completo
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
45.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
125 mOhm @ 13A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
10 V
Pacote:
Tubos
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
600 V
Vgs (máximo):
±25V
Estatuto do produto:
Atividade
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
1781 pF @ 100 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Série:
Sinal de adição de MDmesh™ II
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220FP
Mfr:
STMicroelectrónica
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
26A (Tc)
Dissipação de poder (máxima):
35W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Número do produto de base:
STF33
Destacar:

MOSFET de potência STF33N60M2

,

Circuito integrado semicondutor STF33N60M2

,

Transistor de alta tensão STF33N60M2

Introdução
N-canal 600 V 26A (Tc) 35W (Tc) através do buraco TO-220FP
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Resíduos:
Quantidade mínima: