logo
Casa > produtos > Semicondutor IC > STP100N10F7

STP100N10F7

fabricante:
STMicroelectrónica
Descrição:
MOSFET N CH 100V 80A a 220
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Embalagem / Caixa:
TO-220-3
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
61 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
8mOhm @ 40A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
10 V
Pacote:
Tubos
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
100 V
Vgs (máximo):
± 20V
Estatuto do produto:
Atividade
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
4369 pF @ 50 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Série:
DeepGATE™, STripFET™ VII
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220
Mfr:
STMicroelectrónica
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
80A (Tc)
Dissipação de poder (máxima):
150W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Número do produto de base:
STP100
Destacar:

MOSFET de potência STP100N10F7

,

CI semicondutor STP100N10F7

,

Componente eletrônico STP100N10F7

Introdução
N-canal 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) através do buraco TO-220
Envie o RFQ
Resíduos:
Quantidade mínima: