logo
Casa > produtos > Semicondutor IC > STL110N10F7

STL110N10F7

fabricante:
STMicroelectrónica
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Embalagem / Caixa:
8-PowerVDFN
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
72 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
6mOhm @ 10A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
10 V
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
100 V
Vgs (máximo):
± 20V
Estatuto do produto:
Atividade
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
5117 pF @ 50 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Série:
DeepGATE™, STripFET™ VII
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PowerFlat™ (5x6)
Mfr:
STMicroelectrónica
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
107A (Tc)
Dissipação de poder (máxima):
136W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Número do produto de base:
STL110
Destacar:

Circuito integrado semicondutor STL110N10F7

,

MOSFET de potência STL110N10F7

,

Componente eletrônico STL110N10F7

Introdução
N-Channel 100 V 107A (Tc) 136W (Tc) PowerFlatTM (5x6)
Envie o RFQ
Resíduos:
Quantidade mínima: