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SQ2361AEES-T1_GE3

fabricante:
Vishay Semicondutores
Descrição:
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualificado
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Polaridade do transistor:
P-canal
Tecnologia:
Si
Identificação - corrente contínua do dreno:
- 2,8 A
Estilo de montagem:
SMD/SMT
Tradename:
TrenchFET
Temperatura mínima de funcionamento:
- 55 C
Embalagem / Caixa:
SOT-23-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 175 C
Modo do canal:
Realce
Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte:
- 60 V
embalagem:
Reel
Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte:
- 2,5 V
Categoria de produtos:
MOSFET
RDS - na resistência da Dreno-fonte:
0.13 Ohms
Número de canais:
1 Canal
Vgs - tensão da Porta-fonte:
+/- 20 V
Qg - carga da porta:
15 nC
Fabricante:
Vishay Semicondutores
Introdução
O SQ2361AEES-T1_GE3, da Vishay Semiconductors, é MOSFET. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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