NTD6416ANT4G
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fabricante:
ONSEMI
Descrição:
MOSFET NFET DPAK 100V 19A 96MO
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Polaridade do transistor:
N-canal
Tecnologia:
Si
Categoria de produtos:
MOSFET
Estilo de montagem:
SMD/SMT
Temperatura mínima de funcionamento:
- 55 C
Embalagem / Caixa:
TO-252-3
Temperatura máxima de funcionamento:
+ 175 C
Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte:
100 V
embalagem:
Reel
Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte:
2 V a 4 V
Identificação - corrente contínua do dreno:
17 A
RDS - na resistência da Dreno-fonte:
81 mOhms
Número de canais:
1 Canal
Vgs - tensão da Porta-fonte:
20 V
Qg - carga da porta:
20 nC
Fabricante:
ONSEMI
Introdução
O NTD6416ANT4G, da onsemi, é MOSFET.O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global,que estão em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
MOSFET de dupla inversão de alta velocidade semicondutor IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
NCV0372BDWR2G
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
| Imagem | parte # | Descrição | |
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MOSFET de dupla inversão de alta velocidade semicondutor IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
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MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
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LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
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NCV0372BDWR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
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NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
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CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
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FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
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FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
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FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
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FDC6401N |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
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Resíduos:
Quantidade mínima:
