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1N5617E3

fabricante:
Tecnologia de microchip
Descrição:
DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Diodos Rectificadores Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
500 nA @ 400 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
800 mV @ 3 A
Pacote:
Saco
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
35 pF @ 12V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
A, axial
Tempo de recuperação inverso (trr):
150 ns
Mfr:
Tecnologia de microchip
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
A, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
400 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
1N5617
Introdução
Diodo 400 V 1A através do buraco A, axial
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Resíduos:
Quantidade mínima: