GI756-E3/54
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fabricante:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Descrição:
DIODE GEN PURP 600V 6A P600
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
5 μA @ 600 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
900 mV @ 6 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
150 pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
P600
Tempo de recuperação inverso (trr):
2.5 μs
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-50°C ~ 150°C
Embalagem / Caixa:
P600, axial
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
600 V
Corrente - média rectificada (Io):
6A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
GI756
Introdução
Diodo 600 V 6A através do buraco P600
PRODUTOS CONEXOS
VS-HFA16PB120-N3
DIODE GP 1.2KV 16A TO247AC
VS-10MQ100NTRPBF
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
STPS40L45CW
DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247AC
MURS120HE3_A/H
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
MURS340-M3/9AT
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
RS1KHE3_A/H
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
VS-20MQ100-M3/5AT
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AC
BAS20-HE3-18
DIODE GP 150V 200MA SOT23-3
MURS260-E3/52T
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
VS-E5PH3006L-N3
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
| Imagem | parte # | Descrição | |
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VS-HFA16PB120-N3 |
DIODE GP 1.2KV 16A TO247AC
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VS-10MQ100NTRPBF |
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
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STPS40L45CW |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247AC
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MURS120HE3_A/H |
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
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MURS340-M3/9AT |
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
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RS1KHE3_A/H |
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
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VS-20MQ100-M3/5AT |
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AC
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BAS20-HE3-18 |
DIODE GP 150V 200MA SOT23-3
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MURS260-E3/52T |
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
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VS-E5PH3006L-N3 |
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
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Resíduos:
Quantidade mínima:
