MSE1PGHM3/89A
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fabricante:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Descrição:
DIODE GEN PURP 400V 1A MICROSMP
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1 μA @ 400 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
1.1 V @ 1 A
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
Série:
Automotivo, AEC-Q101, eSMP®
Capacidade @ Vr, F:
5pF @ 4V, 1MHz
Pacote de dispositivos do fornecedor:
MicroSMP (DO-219AD)
Tempo de recuperação inverso (trr):
780 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Tecnologia:
Padrão
Temperatura de funcionamento - Junção:
-55°C ~ 175°C
Embalagem / Caixa:
MicroSMP
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
400 V
Corrente - média rectificada (Io):
1A
Velocidade:
Recuperação padrão > 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
MSE1
Introdução
Diodo 400 V 1A MicroSMP montado na superfície (DO-219AD)
PRODUTOS CONEXOS
VS-HFA16PB120-N3
DIODE GP 1.2KV 16A TO247AC
VS-10MQ100NTRPBF
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
STPS40L45CW
DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247AC
MURS120HE3_A/H
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
MURS340-M3/9AT
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
RS1KHE3_A/H
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
VS-20MQ100-M3/5AT
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AC
BAS20-HE3-18
DIODE GP 150V 200MA SOT23-3
MURS260-E3/52T
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
VS-E5PH3006L-N3
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
| Imagem | parte # | Descrição | |
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VS-HFA16PB120-N3 |
DIODE GP 1.2KV 16A TO247AC
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VS-10MQ100NTRPBF |
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
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STPS40L45CW |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247AC
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MURS120HE3_A/H |
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
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MURS340-M3/9AT |
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
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RS1KHE3_A/H |
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
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VS-20MQ100-M3/5AT |
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AC
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BAS20-HE3-18 |
DIODE GP 150V 200MA SOT23-3
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MURS260-E3/52T |
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
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VS-E5PH3006L-N3 |
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
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Resíduos:
Quantidade mínima:
