MBR0530T1G
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fabricante:
ONSEMI
Descrição:
DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Diodos únicos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
130 μA @ 30 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
430 mV @ 500 mA
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
Série:
-
Capacidade @ Vr, F:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SOD-123
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Schottky
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 125°C
Embalagem / Caixa:
SOD-123
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
30 V
Corrente - média rectificada (Io):
500 mA
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
MBR0530
Introdução
Diodo 30 V 500 mA Montador de superfície SOD-123
PRODUTOS CONEXOS
MOSFET de dupla inversão de alta velocidade semicondutor IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
NCV0372BDWR2G
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
| Imagem | parte # | Descrição | |
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MOSFET de dupla inversão de alta velocidade semicondutor IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
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MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
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LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
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NCV0372BDWR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
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NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
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CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
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FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
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FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
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FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
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FDC6401N |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
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Resíduos:
Quantidade mínima:
