MBR20200CTG
![qualidade [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricante:
ONSEMI
Descrição:
Diodo SCHOTTKY 200V TO220
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Diodos
Rectificadores
Equipamento de diodos
Estatuto do produto:
Atividade
Corrente - média rectificada (Io) (por diodo):
10A
Temperatura de funcionamento - Junção:
-65°C ~ 175°C
Voltagem - para a frente (Vf) (máximo):
900 mV @ 10 A
Pacote:
Tubos
Série:
SWITCHMODE™
Configuração do diodo:
1 Cátodo comum de par
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220
Mfr:
ONSEMI
Tecnologia:
Schottky
Embalagem / Caixa:
TO-220-3
Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo):
200 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Velocidade:
Recuperação rápida = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Número do produto de base:
MBR20200
Corrente - vazamento inverso @ Vr:
1 mA @ 200 V
Introdução
Diodo 1 par Cátodo comum 200 V 10A através do buraco TO-220-3
PRODUTOS CONEXOS
MOSFET de dupla inversão de alta velocidade semicondutor IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
NCV0372BDWR2G
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
| Imagem | parte # | Descrição | |
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MOSFET de dupla inversão de alta velocidade semicondutor IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
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MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
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LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
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NCV0372BDWR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
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NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
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CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
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FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
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FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
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FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
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FDC6401N |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
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Resíduos:
Quantidade mínima:
