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FCP190N60E

fabricante:
ONSEMI
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem / Caixa:
TO-220-3
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
82 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
190 mOhm @ 10A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
10 V
Pacote:
Tubos
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
600 V
Vgs (máximo):
± 20V
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
3175 pF @ 25 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Série:
SuperFET® II
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220-3
Mfr:
ONSEMI
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
20.6A (Tc)
Dissipação de poder (máxima):
208 W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Número do produto de base:
FCP190
Introdução
N-canal 600 V 20.6A (Tc) 208W (Tc) através do buraco TO-220-3
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Resíduos:
Quantidade mínima: