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FCH023N65S3-F155

fabricante:
ONSEMI
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 7.5mA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
222 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
23 mOhm @ 37,5A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
10 V
Pacote:
Tubos
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
650 V
Vgs (máximo):
±30V
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
7160 pF @ 400 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Série:
SuperFET® III
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247-3
Mfr:
ONSEMI
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
75A (Tc)
Dissipação de poder (máxima):
595W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Número do produto de base:
FCH023
Introdução
N-canal 650 V 75A (Tc) 595W (Tc) através do buraco TO-247-3
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Resíduos:
Quantidade mínima: