BSS123
![qualidade [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricante:
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Descrição:
N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
FET, MOSFET
FETs únicos, MOSFETs
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
2,5 nC @ 10 V
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
14 pF @ 50 V
Série:
-
Vgs (máximo):
± 20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SOT-23
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
5Ohm @ 200mA, 10V
Mfr:
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de FET:
N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Dissipação de poder (máxima):
350mW (Ta)
Embalagem / Caixa:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
100 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
200mA (Ta)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Característica do FET:
-
Introdução
N-Channel 100 V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Montador de superfície SOT-23
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Resíduos:
Quantidade mínima:
