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FQPF4N90C

fabricante:
ONSEMI
Descrição:
MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 250µA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem / Caixa:
Bloco TO-220-3 completo
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
22 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4.2 Ohm @ 2A, 10 V
Tipo de FET:
N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
10 V
Pacote:
Tubos
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
900 V
Vgs (máximo):
±30V
Estatuto do produto:
Atividade
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
960 pF @ 25 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Série:
QFET®
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220F-3
Mfr:
ONSEMI
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
4A (Tc)
Dissipação de poder (máxima):
47W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Número do produto de base:
FQPF4
Introdução
N-canal 900 V 4A (Tc) 47W (Tc) através do buraco TO-220F-3
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Resíduos:
Quantidade mínima: