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FDC86244

fabricante:
ONSEMI
Descrição:
MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem / Caixa:
SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
6 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
144mOhm @ 2.3A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
6V, 10V
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
150 V
Vgs (máximo):
± 20V
Estatuto do produto:
Atividade
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
345 pF @ 75 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Série:
PowerTrench®
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SuperSOT™-6
Mfr:
ONSEMI
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
2.3A (Ta)
Dissipação de poder (máxima):
1.6W (Ta)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Número do produto de base:
FDC8624
Introdução
N-Channel 150 V 2.3A (Ta) 1.6W (Ta) Superficie montada SuperSOTTM-6
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Resíduos:
Quantidade mínima: