Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
FET, MOSFET
FETs únicos, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem / Caixa:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
63 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
11.6mOhm @ 14A, 10V
Tipo de FET:
P-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
35 V
Vgs (máximo):
±25V
Estatuto do produto:
Atividade
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
2370 pF @ 20 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Série:
PowerTrench®
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-252AA
Mfr:
ONSEMI
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
13A (Ta), 55A (Tc)
Dissipação de poder (máxima):
3.1W (Ta), 57W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Número do produto de base:
FDD663
Introdução
P-Canal 35 V 13A (Ta), 55A (Tc) 3.1W (Ta), 57W (Tc) Montador de superfície TO-252AA
PRODUTOS CONEXOS
![qualidade [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
MOSFET de dupla inversão de alta velocidade semicondutor IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
![qualidade [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
![qualidade [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
![qualidade [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
NCV0372BDWR2G
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
![qualidade [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
![qualidade [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
![qualidade [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
![qualidade [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
![qualidade [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
![qualidade [#varpname#] fábrica](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
Imagem | parte # | Descrição | |
---|---|---|---|
![]() |
MOSFET de dupla inversão de alta velocidade semicondutor IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
![]() |
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
![]() |
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
![]() |
NCV0372BDWR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
![]() |
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
![]() |
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
![]() |
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
![]() |
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
![]() |
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
![]() |
FDC6401N |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
Envie o RFQ
Resíduos:
Quantidade mínima: