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IRFR214TRPBF

fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem / Caixa:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
8.2 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2 Ohms @ 1,3 A, 10 V
Tipo de FET:
N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
10 V
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
250 V
Vgs (máximo):
± 20V
Estatuto do produto:
Atividade
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
140 pF @ 25 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Série:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
D-PAK
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
2.2A (Tc)
Dissipação de poder (máxima):
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Número do produto de base:
IRFR214
Introdução
N-Canal 250 V 2.2A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Montador de superfície D-Pak
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Resíduos:
Quantidade mínima: