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FDS86242

fabricante:
ONSEMI
Descrição:
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem / Caixa:
8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
13 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
67 mOhm @ 4.1A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
6V, 10V
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
150 V
Vgs (máximo):
± 20V
Estatuto do produto:
Atividade
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
760 pF @ 75 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Série:
PowerTrench®
Pacote de dispositivos do fornecedor:
8-SOIC
Mfr:
ONSEMI
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
4.1A (Ta)
Dissipação de poder (máxima):
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Número do produto de base:
FDS86
Introdução
N-Canal 150 V 4.1A (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Superfície montada 8-SOIC
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Resíduos:
Quantidade mínima: