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NTBG080N120SC1

fabricante:
ONSEMI
Descrição:
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.3V @ 5mA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Embalagem / Caixa:
TO-263-8, ² Pak de D (7 ligações + abas), TO-263CA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
56 nC @ 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
110 mOhm @ 20A, 20V
Tipo de FET:
N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
20 V
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
1200 V
Vgs (máximo):
+25, -15V
Estatuto do produto:
Atividade
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
1154 pF @ 800 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Série:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
D2PAK-7
Mfr:
ONSEMI
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
30A (Tc)
Dissipação de poder (máxima):
179 W (Tc)
Tecnologia:
SiCFET (carboneto de silicone)
Número do produto de base:
NTBG080
Introdução
N-Canal 1200 V 30A (Tc) 179W (Tc) Montador de superfície D2PAK-7
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Quantidade mínima: