NTH4L045N065SC1
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fabricante:
ONSEMI
Descrição:
MOSFETO de CARBIDO DE SÍLIO, NCHANNEL
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
FET, MOSFET
FETs únicos, MOSFETs
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
105 nC @ 18 V
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Tubos
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
1870 pF @ 325 V
Série:
-
Vgs (máximo):
+22V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.3V @ 8mA
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247-4L
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
50 mOhm @ 25A, 18V
Mfr:
ONSEMI
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de FET:
N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
15V, 18V
Dissipação de poder (máxima):
187 W (Tc)
Embalagem / Caixa:
TO-247-4
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
650 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
55A (Tc)
Tecnologia:
SiCFET (carboneto de silicone)
Característica do FET:
-
Introdução
N-canal 650 V 55A (Tc) 187W (Tc) através do buraco TO-247-4L
PRODUTOS CONEXOS
MOSFET de dupla inversão de alta velocidade semicondutor IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
NCV0372BDWR2G
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
| Imagem | parte # | Descrição | |
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MOSFET de dupla inversão de alta velocidade semicondutor IC gate driver chip 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
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MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
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LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
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NCV0372BDWR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
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NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
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CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
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FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
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FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
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FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
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FDC6401N |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
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Resíduos:
Quantidade mínima:
