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IRF9530PBF

fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Embalagem / Caixa:
TO-220-3
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
38 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
300 mOhm @ 7.2A, 10V
Tipo de FET:
P-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
10 V
Pacote:
Tubos
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
100 V
Vgs (máximo):
± 20V
Estatuto do produto:
Atividade
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
860 pF @ 25 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Série:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220AB
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
12A (Tc)
Dissipação de poder (máxima):
88W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Número do produto de base:
IRF9530
Introdução
Canal P 100 V 12A (Tc) 88W (Tc) através do buraco TO-220AB
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Resíduos:
Quantidade mínima: