IRFPE50PBF
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fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
FET, MOSFET
FETs únicos, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
200 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.2 Ohm @ 4.7A, 10 V
Tipo de FET:
N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
10 V
Pacote:
Tubos
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
800 V
Vgs (máximo):
± 20V
Estatuto do produto:
Atividade
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
3100 pF @ 25 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Série:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247AC
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
7.8A (Tc)
Dissipação de poder (máxima):
190W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Número do produto de base:
IRFPE50
Introdução
N-canal 800 V 7.8A (Tc) 190W (Tc) através do buraco TO-247AC
PRODUTOS CONEXOS
SQJ409EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
IRFP448PBF
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
IRFBE30SPBF
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
IRF644STRRPBF
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
SQJ486EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
SIHB24N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
SQM120P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
SQM100P10-19L_GE3
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
SQJA36EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
SQJ459EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
| Imagem | parte # | Descrição | |
|---|---|---|---|
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SQJ409EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
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IRFP448PBF |
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
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IRFBE30SPBF |
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
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IRF644STRRPBF |
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
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SQJ486EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
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SIHB24N80AE-GE3 |
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
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SQM120P06-07L_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
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SQM100P10-19L_GE3 |
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
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SQJA36EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
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SQJ459EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
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Resíduos:
Quantidade mínima:
