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SQS481ENW-T1_GE3

fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Embalagem / Caixa:
PowerPAK® 1212-8
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
11 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.095 Ohm @ 5A, 10V
Tipo de FET:
P-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
10 V
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
150 V
Vgs (máximo):
± 20V
Estatuto do produto:
Atividade
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
385 pF @ 75 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Série:
Automotivo, AEC-Q101, TrenchFET®
Pacote de dispositivos do fornecedor:
PowerPAK® 1212-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
4.7A (Tc)
Dissipação de poder (máxima):
62.5W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Número do produto de base:
SQS481
Introdução
P-Channel 150 V 4.7A (Tc) 62.5W (Tc) PowerPAK® 1212-8
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Resíduos:
Quantidade mínima: