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IRF830PBF

fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem / Caixa:
TO-220-3
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
38 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
Tipo de FET:
N-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
10 V
Pacote:
Tubos
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
500 V
Vgs (máximo):
± 20V
Estatuto do produto:
Atividade
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
610 pF @ 25 V
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Série:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-220AB
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
4.5A (Tc)
Dissipação de poder (máxima):
74W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Número do produto de base:
IRF830
Introdução
Canal N 500 V 4.5A (Tc) 74W (Tc) através do buraco TO-220AB
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Resíduos:
Quantidade mínima: