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SQ4401EY-T1_GE3

fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FETs únicos, MOSFETs
Característica do FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Embalagem / Caixa:
8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura)
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
115 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
14mOhm @ 10,5A, 10V
Tipo de FET:
P-canal
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On):
4.5V, 10V
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Voltagem de saída para a fonte (Vdss):
40 V
Vgs (máximo):
± 20V
Estatuto do produto:
A última vez que comprei
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:
4250 pF @ 20 V
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Série:
TrenchFET®
Pacote de dispositivos do fornecedor:
8-SOIC
Mfr:
Vishay Siliconix
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C:
17.3A (Tc)
Dissipação de poder (máxima):
7.14W (Tc)
Tecnologia:
MOSFET (óxido de metal)
Número do produto de base:
SQ4401
Introdução
P-Canal 40 V 17.3A (Tc) 7.14W (Tc) Montador de superfície 8-SOIC
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Resíduos:
Quantidade mínima: