VS-50TPS12L-M3
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fabricante:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Descrição:
SCR 1.2KV 79A TO247L
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Tiristores
Reservatórios
Voltagem - em estado (Vtm) (máximo):
1,32 V
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Tubos
Atual - fora do estado (máximo):
50 µA
Série:
-
Corrente - em estado (IT (AV)) (máximo):
50 A
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-247L
Atual - no estado (ele (RMS)) (Máximo):
79 A
Voltagem - Desligada:
1,2 quilovolts
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C
Atual - disparador da porta (Igt) (máximo):
100 MA
Tensão - disparador da porta (Vgt) (máximo):
1,5 V
Embalagem / Caixa:
TO-247-3
Tipo de SCR:
Recuperação padrão
Atual - posse (Ih) (máximo):
300 miliampères
Número do produto de base:
50TPS12
Corrente - Corrente não repetitiva 50, 60 Hz (Itsm):
530A @ 100Hz
Introdução
SCR 1,2 kV 79 A Recuperação padrão através do buraco TO-247L
PRODUTOS CONEXOS
VS-HFA16PB120-N3
DIODE GP 1.2KV 16A TO247AC
VS-10MQ100NTRPBF
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
STPS40L45CW
DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247AC
MURS120HE3_A/H
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
MURS340-M3/9AT
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
RS1KHE3_A/H
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
VS-20MQ100-M3/5AT
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AC
BAS20-HE3-18
DIODE GP 150V 200MA SOT23-3
MURS260-E3/52T
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
VS-E5PH3006L-N3
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
| Imagem | parte # | Descrição | |
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VS-HFA16PB120-N3 |
DIODE GP 1.2KV 16A TO247AC
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VS-10MQ100NTRPBF |
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
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STPS40L45CW |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247AC
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MURS120HE3_A/H |
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
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MURS340-M3/9AT |
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
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RS1KHE3_A/H |
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
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VS-20MQ100-M3/5AT |
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO214AC
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BAS20-HE3-18 |
DIODE GP 150V 200MA SOT23-3
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MURS260-E3/52T |
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
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VS-E5PH3006L-N3 |
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD
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