RMLV1616AGSA-5S2#AA0
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fabricante:
Renesas Electronics America Inc.
Descrição:
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
Categoria:
Semicondutor IC
Especificações
Categoria:
Circuitos integrados (CI)
Memória
Memória
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Caixa
Série:
-
DigiKey Programável:
Não verificado
Interface de memória:
Paralelo
Escreva o tempo do ciclo - palavra, página:
55 ns
Pacote de dispositivos do fornecedor:
48-TSOP I
Tipo de memória:
Volátil
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Tamanho da Memória:
16Mbit
Voltagem - Fornecimento:
2.7V ~ 3.6V
Tempo de acesso:
55 ns
Embalagem / Caixa:
48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura)
Organização da memória:
2M x 8, 1M x 16
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tecnologia:
SRAM
Número do produto de base:
RMLV1616
Formato de memória:
SRAM
Introdução
IC de memória SRAM 16Mbit paralelo 55 ns 48-TSOP I
PRODUTOS CONEXOS
HSM221CTL
RECTIFIER DIODE, 0.1A, 85V
HZS30NB2TD-E
DIODE ZENER 0.4W
RJK0653DPB-00#J5
MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
RJK0346DPA-00#J0
MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
RJK0351DPA-02#J0
N-CHANNEL POWER MOSFET
RJK03B9DPA-00#J53
MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
RJK03D0DNS-00#J5
POWER MOSFET
RJK0651DPB-00#J5
MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
CR02AM-8#BD0
THYRISTOR 400V 0.2A TO92-3
23S08T-1DCG8
IC CLOCK MULTIPLIER 16SOIC
| Imagem | parte # | Descrição | |
|---|---|---|---|
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HSM221CTL |
RECTIFIER DIODE, 0.1A, 85V
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HZS30NB2TD-E |
DIODE ZENER 0.4W
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RJK0653DPB-00#J5 |
MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
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RJK0346DPA-00#J0 |
MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
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RJK0351DPA-02#J0 |
N-CHANNEL POWER MOSFET
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RJK03B9DPA-00#J53 |
MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK
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RJK03D0DNS-00#J5 |
POWER MOSFET
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RJK0651DPB-00#J5 |
MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
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CR02AM-8#BD0 |
THYRISTOR 400V 0.2A TO92-3
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23S08T-1DCG8 |
IC CLOCK MULTIPLIER 16SOIC
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Resíduos:
Quantidade mínima:
